▲ 首臺 High NA EUV 照片，圖源：英特爾
他表示，由于已經有了經驗，第二套 High NA EUV 光刻系統的安裝速度比第一個還要更快。據稱，High NA 所需的所有基礎設施已經到位并開始運行。用于 High NA 的光刻掩模檢測工作已經按計劃開始進行。因此，英特爾無需做太多輔助支持工作即可將其投入生產。
Mark 還被問到了關于 CAR（化學放大抗蝕劑）與金屬氧化物抗蝕劑的問題，他表示 CAR 目前還夠用，但可能在未來某個時候需要金屬氧化物光刻膠。英特爾目標插入點是 Intel 14A 工藝（IT之家注：預計 2026~2027 年量產），這可能比預期的要更快。
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